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EMB70N08CS Schematic ( PDF Datasheet ) - Excelliance MOS

Teilenummer EMB70N08CS
Beschreibung Field Effect Transistor
Hersteller Excelliance MOS
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Gesamt 5 Seiten
EMB70N08CS Datasheet, Funktion
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
80V 
D
RDSON (MAX.) 
65mΩ 
ID  15A  G
 
UIS, 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=23A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMB70N08CS
LIMITS 
±20 
15 
10 
60 
23 
27 
13 
39 
15 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
2012/7/18 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
3.2 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 





SeitenGesamt 5 Seiten
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Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
EMB70N08CField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB70N08CSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


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