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PDF EMB70N08A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB70N08A
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB70N08A Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
80V 
D
RDSON (MAX.) 
65mΩ 
ID  15A  G
 
UIS, 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=23A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMB70N08A
LIMITS 
±20 
15 
10 
60 
23 
27 
13 
39 
15 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
2012/7/18 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
3.2 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB70N08A pdf
 
 
Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 15A
 
8
 
 6
V D S = 20V 40V
 4
 
 2
 0
0 3 6 9 12 15 18 21
  Q g  ‐ Gate Charge( nC )
  EMB70N08A
1500
1350
1200
1050
900
750
600
450
300
150
0
0
Ciss
Coss
Crss
10
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
V G S  = 0 V
20 30 40 50
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
60
 
  M a xim u m  S a fe  O p e ra tin g  A re a
  100
R   D  S ( O N  )Lim it
  10
10uS
100uS
1mS
 
 1
D
10m
10
C
0m
S
S
Single Pulse Maximum Power Dissipation
3000 Single Pulse
Rθ  JC  = 3.2 °C/W
TC  = 25° C
2500
2000
1500
 
  0.1
    V G   S =  1 0 V
  Sin gle P u lse
R   JC  =   3 . 2 ° C / W
    T C     =   2 5 ° C
0 .0 1
  1 10 100 1000
V D   S   ‐   D r a i n S o u r c e  V o lt a g e (  V   )
 
1000
500
0 0.01
0.1 1 10
Single Pulse Time( sec ) 
100
1000
  Transient Thermal Response Curve
  100
  D=0.5
  0.2
  0.1
101
0.05
  0.02
  0.01
single pulse
  102
Note :
  1. RθJC(t)=3.2°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
PDM
t1
t2
  105 104 103 102 101 100 101
  t1,Time( sec )
 
 
 
 
 
2012/7/18 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB70N08AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB70N08CField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB70N08CSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB70N08GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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