DataSheet.es    


PDF EMBA2N10A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMBA2N10A
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



Hay una vista previa y un enlace de descarga de EMBA2N10A (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 6 Páginas

No Preview Available ! EMBA2N10A Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
125mΩ 
ID  14A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=10A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2013/10/8 
EMBA2N10A
LIMITS 
±20 
14 
9.5 
40 
10 
5 
2.5 
41 
16 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
3.0 
52.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMBA2N10A pdf
 
  Gate Charge Characteristics
10
  I D  = 8A
 8
 
 6
VD  S   = 50V 80V
 4
 
 2
 0
 0
10 20
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
30
  M a x im u m  S a fe  O p e ra tin g  A re a
100
   R  D  S ( O  N L) im it
100uS 10uS
10
 
 
1
1mS
D
1
C
1
00
0m
mS
S
 
  0.1
      V G   S   =   1 0 V
S in g le  P u lse
R   JC  =   4 . 0 ° C / W
  0.01
    T C      =   2 5 ° C
1 10 100
  V D   S    ‐   D r a i n S o u r c e   V o l t a g e (   V   )
40
1000
  EMBA2N10A
2000
1800
1600
Ciss
Capacitance Characteristics
f  =  1M Hz
V  G S  =  0  V
1400
1200
1000
800
600
400 Coss
200
Crss
0
0 20 40 60 80
VD  S ‐ D rainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
3000 SRθi n J Cg =le 4 P.0u °Cls/eW
TC  = 25° C
2500
2000
1500
1000
500
0 0.01
0.1 1 10
Single Pulse Time( sec ) 
100
1000
 
  Transient Thermal Response Curve
  100
D=0.5
 
  0.2
0.1
  101
0.05
  0.02
  0.01
  102
single pulse
Note :
  1. RθJC(t)=4.0°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
PDM
t1
t2
  105 104 103 102 101 100 101
  t1,Time( sec )
 
 
 
 
 
2013/10/8 
p.5 

5 Page










PáginasTotal 6 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet EMBA2N10A.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMBA2N10AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar