Datenblatt-pdf.com


EMBA5C10A Schematic ( PDF Datasheet ) - Excelliance MOS

Teilenummer EMBA5C10A
Beschreibung Field Effect Transistor
Hersteller Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS Logo 




Gesamt 8 Seiten
EMBA5C10A Datasheet, Funktion
 
 
N & PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary:   
 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
ID 
NCH 
100V 
150mΩ 
3A 
PCH 
100V 
250mΩ 
2.5A 
D1
G1
S1
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
D2
G2
S2
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
2013/10/8 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
 
 
EMBA5C10A
LIMITS 
NCH 
PCH 
±20  ±20 
3  ‐2.5 
2.1  ‐1.8 
12  ‐10 
10 
4 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
12 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 






EMBA5C10A Datasheet, Funktion
 
 
  10
Gate Charge Characteristics
  I D  = 2A
 8
 6
 
VD  S   = 50V 80V
 4
 2
 
0
 0
 
8 16
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
24
32
 
100
 
Maximum Safe Operating Area
 
10
  R  D S ( O  N  )Limit
 1
 
  0.1
1001u0SuS
1mS
10mS
DC100mS
  VG S  = 10V
Single Pulse
R  JA = 62.5°C/W
  TA   = 25°C
0.01
0.1 1 10 100
  VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
1000
 
 1
Duty Cycle = 0.5
 
0.2
  0.1
0.1
  0.05
Transient Thermal Response Curve
  0.02
0.01
  0.01
Single Pulse
 
  0.001
  10 4
 
10 3
10 2
10 1
t 1 ,Time (sec)
1
 
 
 
 
2013/10/8 
  EMBA5C10A
1500
1350
1200
1050
Capacitance Characteristics
f  =  1M Hz
V  G S  = 0 V
Ciss
900
750
600
450
300 Coss
150
0 Crss
0
20 40 60 80
VD  S ‐ D rainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 62.5°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J A  =62.5°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
p.6 

6 Page







SeitenGesamt 8 Seiten
PDF Download[ EMBA5C10A Schematic.PDF ]

Link teilen




Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
EMBA5C10AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBA5C10GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


www.Datenblatt-PDF.com       |      2020       |      Kontakt     |      Suche