Datenblatt-pdf.com


EMB32C03G Schematic ( PDF Datasheet ) - Excelliance MOS

Teilenummer EMB32C03G
Beschreibung Field Effect Transistor
Hersteller Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS Logo 




Gesamt 8 Seiten
EMB32C03G Datasheet, Funktion
 
 
N & PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary:   
  NCH  PCH 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
30V  ‐30V 
32mΩ  40mΩ 
ID 
6.5A 
6A 
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
2012/10/25 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
 
 
EMB32C03G
LIMITS 
NCH 
PCH 
±20  ±20 
6.5  ‐6 
5.5  ‐5 
26  ‐24 
2 
0.8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 






EMB32C03G Datasheet, Funktion
 
 
  10
Gate Charge Characteristics
  I D  = 6.5A
 8
 
6
 
VD  S   = 5V
10V
15V
 4
 
2
 
 
0
0
 
36
Q  g ‐ Gate Charge( nC )
9
12
 
100
 
Maximum Safe Operating Area
   10 R D S  (O  N  ) Limit
 1
 
  0.1
  VG  S = 10V
Single Pulse
  R  J  A = 125°C/W
  T A  = 25°C
100μs
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
  0.01
0.1
 
1 10
VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
 
 
1
  Duty Cycle = 0.5
 
0.2
  0.1
0.1
  0.05
  0.02
  0.01
0.01
  Single Pulse
Transient Thermal Response Curve
 
  0.001
10 4
 
10 3
10 2
10 1
t 1 ,Time (sec)
1
 
 
 
2012/10/25 
  EMB32C03G
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
V G S  = 0 V
Ciss
Coss
Crss
5 10 15 20
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
25
30
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 125°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D = t2 t1
t2
2.Rθ  J  A =125°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
p.6 

6 Page







SeitenGesamt 8 Seiten
PDF Download[ EMB32C03G Schematic.PDF ]

Link teilen




Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
EMB32C03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


www.Datenblatt-PDF.com       |      2020       |      Kontakt     |      Suche