Datenblatt-pdf.com


EMB99A0G Schematic ( PDF Datasheet ) - Excelliance MOS

Teilenummer EMB99A0G
Beschreibung Field Effect Transistor
Hersteller Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS Logo 




Gesamt 8 Seiten
EMB99A0G Datasheet, Funktion
 
 
2N & 2PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary:   
  NCH  PCH 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
100V  ‐100V 
250mΩ  300mΩ 
ID 
2.2A 
1.7A 
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
390°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
2012/5/8 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
 
 
EMB99A0G
LIMITS 
NCH 
PCH 
±20  ±20 
2.2  ‐1.7 
1.8  ‐1.4 
8.8  ‐6.8 
1.38 
0.75 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
36 
90 
UNIT 
°C / W 
p.1 






EMB99A0G Datasheet, Funktion
 
 
 
 
10
Gate Charge Characteristics
  I D  = 2.2A
 8
 
6
 
 4
VD  S   = 25V 50V
 2
 
0
 0
 
5 10
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
15
20
 
  100
Maximum Safe Operating Area
 
10
 
  1 R  D S  (O  N  )Limit
 
 
0.1
10uS
100uS
1mS
10mS
100mS
DC
  VG  S = 10V
Single Pulse
R  JA = 90°C/W
  TA   = 25°C
0.01
0.1 1 10 100
  VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
1000
 
 
1
  Duty Cycle = 0.5
 
0.2
  0.1
0.1
  0.05
Transient Thermal Response Curve
  0.02
0.01
  0.01
  Single Pulse
 
  0.001
10 4
 
10 3
10 2
10 1
t 1 ,Time (sec)
1
 
 
2012/5/8 
  EMB99A0G
1000
900
800
Capacitance Characteristics
f  =  1M Hz
Ciss V  G S  = 0 V
700
600
500
400
300
200
100
0
0
Coss
Crss
20 40 60 80
VD  S ‐ D rainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 90°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
Notes:
P DM
t1
t2
1.Duty Cycle,D =
t1
t2
2.Rθ  J  A =90°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
p.6 

6 Page







SeitenGesamt 8 Seiten
PDF Download[ EMB99A0G Schematic.PDF ]

Link teilen




Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
EMB99A0GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


www.Datenblatt-PDF.com       |      2020       |      Kontakt     |      Suche