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PDF PD6B2BA Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | PD6B2BA | |
| Descripción | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
| Fabricantes | UNIKC | |
| Logotipo |  |
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PD6B2BA
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
30V 6.2mΩ @VGS = 10V
ID
63A
TO-252
100% UIS Tested
100% Rg Tested
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 30
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current2
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
ID
IDM
63
40
120
Avalanche Current
IAS 25
Avalanche Energy
L = 0.1mH
EAS
31
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
PD
48
19
Junction & Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Package limitation current is 39A.
SYMBOL
RqJA
RqJC
TYPICAL
MAXIMUM UNITS
62.5
°C / W
2.6
REV 1.0 1 2017/1/4
1 page  
PD6B2BA
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
*因为各家封装厂模具不同而外观略有所差异，不影响电性及Layout。
REV 1.0
5
2017/1/4
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| PD6B2BA | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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