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Teilenummer | 3DD3040A1 |
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Beschreibung | Silicon NPN Transistor | |
Hersteller | Huajing Microelectronics | |
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Gesamt 5 Seiten 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD3040 A1
○R
产品概述
3DD3040 A1-H 是硅
NPN 型功率开关晶体管,该
产品采用平面工艺,分压环
终端结构和少子寿命控制
技术,提高了产品的击穿电
压、开关速度和可靠性。
存储条件和焊接温度
产品特点
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 反向击穿电压高
● 可靠性高
应用
● 充电器
● 适配器
● 一般功率开关电路
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40℃
1 年 265℃
相对湿度 <85%
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
Ptot (Ta=25℃)
450
2
0.8
V
A
W
封装 TO-92
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25℃
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp<5ms)
基极直流电流
基极脉冲电流(tp<5ms)
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到环境的热阻
E
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
700
450
9
2
4
1
2
0.8
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
符号
RθJA
最小值
典型值
最大值
156
单位
℃/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
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Seiten | Gesamt 5 Seiten | |
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Teilenummer | Beschreibung | Hersteller |
3DD3040A1 | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |
3DD3040A3 | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |
3DD3040A6 | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |
3DD3040A7 | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |
Teilenummer | Beschreibung | Hersteller |
CD40175BC | Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop. |
Fairchild Semiconductor |
KTD1146 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR. |
KEC |
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