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PDF GT43 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | GT43 | |
| Descripción | Silicon NPN Darlington Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
GT43
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 300V(Min)
·High DC Current Gain
: hFE= 2000(Min.)@ IC= 4A
·Low Collector Saturation Voltage
: VCE(sat)= 3.0V(Max.)@ IC= 6A
APPLICATIONS
·Switching for dynamotor excitation
·General purpose power amplifier
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
VCEO
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC Collector Current-Continuous
IB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
400 V
300 V
7V
10 A
1A
100 W
150 ℃
-55~150
℃
isc website：www.iscsemi.cn
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| GT40G121 | Insulated Gate Bipolar Transistor |  Toshiba Semiconductor |
| GT40J121 | Discrete IGBTs |  Toshiba |
| GT40J321 | Insulated Gate Bipolar Transistor | Toshiba Semiconductor |
| GT40J322 | Insulated Gate Bipolar Transistor | Toshiba Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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