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PDF 3DD208 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 3DD208 | |
| Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
3DD208
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 200V(Min.)
·DC Current Gain-
: hFE= 30~250(Min.)@IC= 0.5A
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 2.0V(Max)@ IC= 1A
APPLICATIONS
·Designed for switching regulator and power amplifier
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
300 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
200 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
6V
IC Collector Current-Continuous
3A
PC Collector Power Dissipation@TC=25℃ 50
W
TJ Junction Temperature
150 ℃
Tstg Storage Temperature
-55~150 ℃
isc website：www.iscsemi.cn
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 3DD200 | Silicon Power Transistor |  Inchange |
| 3DD201 | Silicon Power Transistor | Inchange |
| 3DD207 | Silicon NPN Power Transistors | Inchange Semiconductor |
| 3DD2073 | NPN Transistor |  ETC |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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